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APT20M38BVR
9.17
APT20M38BVR 数据手册 (4 页)
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APT20M38BVR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
67A
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
5100pF @25V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
370000 mW

APT20M38BVR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

APT20M38BVR 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.07 MByte

APT20M38 数据手册

Microsemi(美高森美)
APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247
Microsemi(美高森美)
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Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
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