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APT25M100J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT25M100J 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

APT25M100J 数据手册 (4 页)

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APT25M100J 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

25.0 A

封装

SOT-227-4

极性

N-CH

功耗

545 W

输入电容

9.84 nF

栅电荷

305 nC

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

9835pF @25V(Vds)

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

545W (Tc)

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APT25M100J 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT25M100J 符合标准

APT25M100J 数据手册

Microsemi（美高森美）

4 页 / 0.2 MByte

APT25M100J 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

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APT25M100J 产品手册

Microsemi（美高森美）

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