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APT38F80B2
16.635
APT38F80B2 数据手册 (4 页)
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APT38F80B2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
190 mΩ
极性
N-CH
功耗
1.04 kW
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
连续漏极电流(Ids)
41A
上升时间
65 ns
输入电容值(Ciss)
8070pF @25V(Vds)
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1040W (Tc)

APT38F80B2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT38F80B2 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.11 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.23 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT38F80 数据手册

Microsemi(美高森美)
N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
Microsemi(美高森美)
N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
Microchip(微芯)
N沟道 800V 41A
Microchip(微芯)
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