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APT5010LVR 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

封装:

TO-264

描述:

功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

APT5010LVR 数据手册 (5 页)

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APT5010LVR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

47A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

7400pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

520000 mW

APT5010LVR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

APT5010LVR 符合标准

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