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APT50M75B2LLG
22.53
APT50M75B2LLG 数据手册 (5 页)
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APT50M75B2LLG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
57.0 A
封装
TO-247-3
功耗
570 W
输入电容
5.59 nF
栅电荷
125 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
57.0 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
5590pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
570 W
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
570W (Tc)

APT50M75B2LLG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT50M75B2LLG 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.16 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 1.47 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT50M75B2 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
N沟道 500V 57A
Microchip(微芯)
N沟道 500V 57A
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