APT65GP60J

￥ 37.295

APT65GP60J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT65GP60J 数据手册 (6 页)

APT65GP60J 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

130 A

封装

SOT-227-4

功耗

431 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

7.4nF @25V

额定功率(Max)

431 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

431000 mW

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APT65GP60J 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT65GP60J 符合标准

APT65GP60J 海关信息

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