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APT75GT120JRDQ3 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT75GT120JRDQ3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在9 页

APT75GT120JRDQ3 数据手册 (9 页)

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APT75GT120JRDQ3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

功耗

480000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

5.1nF @25V

额定功率(Max)

480 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

480000 mW

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APT75GT120JRDQ3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT75GT120JRDQ3 符合标准

APT75GT120JRDQ3 海关信息

APT75GT120JRDQ3 数据手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.45 MByte

APT75GT120JRDQ3 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT75GT120JRDQ3 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.18 MByte

APT75GT120JRDQ3 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

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