￥ 23.026

APT75GT120JU2 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227

描述:

APT75GT120JU2 单 1200 V 100 A 416 W 沟槽式和场截止 IGBT - SOT-227

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT75GT120JU2 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

APT75GT120JU2 数据手册 (8 页)

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APT75GT120JU2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227

功耗

416000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

5.34nF @25V

额定功率(Max)

416 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

416000 mW

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APT75GT120JU2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT75GT120JU2 符合标准

APT75GT120JU2 数据手册

Microsemi（美高森美）

8 页 / 0.55 MByte

APT75GT120JU2 产品封装文件

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