APT7M120B

￥ 4.769

APT7M120B 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT7M120B 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

APT7M120B 数据手册 (4 页)

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APT7M120B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

7.10 A

封装

TO-247-3

极性

N-CH

功耗

335 W

输入电容

2.57 nF

栅电荷

80.0 nC

漏源极电压(Vds)

1200 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

2565pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

335 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

335W (Tc)

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APT7M120B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT7M120B 符合标准

APT7M120B 数据手册

APT7M120B 数据手册

Microsemi（美高森美）

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APT7M120B 产品手册

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