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APT8024JLL
232.022

APT8024JLL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
29.0 A
封装
SOT-227-4
极性
N-CH
功耗
460W (Tc)
输入电容
4.67 nF
栅电荷
160 nC
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
29.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
4670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
460 W
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
460W (Tc)

APT8024JLL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT8024JLL 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.21 MByte
Microsemi(美高森美)
41 页 / 1.86 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.16 MByte

APT8024 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7 FREDFET POWER MOS 7 FREDFET
Microchip(微芯)
N沟道 800V 31A
Microchip(微芯)
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