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Datasheet 搜索 > 放大器、缓冲器 > Diodes(美台) > AS358P-E1 Datasheet 文档
AS358P-E1
器件3D模型
0.067
AS358P-E1 数据手册 (293 页)
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AS358P-E1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
输出电流
40 mA
供电电流
700 µA
电路数
2 Circuit
功耗
830 mW
共模抑制比
70 dB
输入补偿电压
2 mV
输入偏置电流
20 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
830 mW
共模抑制比(Min)
60 dB
电源电压
3V ~ 36V

AS358P-E1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 85℃

AS358P-E1 数据手册

Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
19 页 / 0.56 MByte

AS358 数据手册

Diodes(美台)
AS358AMTR-E1 编带
Diodes(美台)
AS358MTR-E1 编带
Diodes(美台)
AS358A 系列 双通道 36 V 表面贴装 运算放大器 - SOIC-8
Diodes(美台)
AS358 系列 36 V 40 mA 低功耗 双 运算放大器 - MSOP-8
Diodes(美台)
AS358A 系列 双通道 36 V 表面贴装 运算放大器 - SOIC-8
Diodes(美台)
AS358P-E1 管装
BCD Semiconductor
BCD Semiconductor
Diodes(美台)
运算放大器 AS358AP-E1 DIP-8
BCD Semiconductor
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