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AT-41511-TR1
0.037
AT-41511-TR1 数据手册 (11 页)
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AT-41511-TR1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-253-4
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
11dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数
30 @5mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
耗散功率(Max)
225 mW

AT-41511-TR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

AT-41511-TR1 数据手册

Broadcom(博通)
11 页 / 0.1 MByte
Broadcom(博通)
11 页 / 0.1 MByte

AT41511 数据手册

Agilent(安捷伦)
通用型,低噪声NPN硅双极晶体管 General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor
HP(惠普)
HP(惠普)
AVAGO Technologies(安华高科)
AVAGO Technologies(安华高科)
AVAGO Technologies(安华高科)
Broadcom(博通)
BROADCOM LIMITED  AT-41511-BLKG  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10 GHz, 225 mW, 50 mA, 150 hFE
Broadcom(博通)
AVAGO Technologies(安华高科)
Broadcom(博通)
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