AVAGO Technologies(安华高科)
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Low Noise
Broadcom(博通)
BROADCOM LIMITED ATF-33143-BLKG 晶体管, 射频FET, 高线性度, 5.5 V, 305 mA, 600 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
Broadcom(博通)
N 通道 HEMT,Avago Technologies 高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结 FET)是结型 FET,利用两种材料,具有不同带隙(即异质结),用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型,具有 E-pHEMT 设备,正成为增强模式类型。 JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
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