ATF-54143-TR1 数据手册 - Agilent（安捷伦）

BROADCOM LIMITED  ATF-54143-TR1G  晶体管, 射频FET, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

N 通道 HEMT，Avago Technologies高电子迁移率晶体管（HEMT，也称为异质结构或异质结 FET）是结型 FET，利用两种材料，具有不同带隙（即异质结），用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型，具有 E-pHEMT 设备，正成为增强模式类型。### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。