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AUIRF6215S
0.383
AUIRF6215S 数据手册 (10 页)
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AUIRF6215S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
290 mΩ
极性
P-CH
功耗
3.8 W
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
36 ns
输入电容值(Ciss)
860pF @25V(Vds)
下降时间
37 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)

AUIRF6215S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF6215S 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 1.39 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

AUIRF6215 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF6215  晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -150 V, 0.29 ohm, -10 V, -2 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF6215S D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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