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AUIRF7640S2TR
0.342
AUIRF7640S2TR 数据手册 (11 页)
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AUIRF7640S2TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
30 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.027 Ω
极性
N-CH
功耗
30 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
5.8A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @25V(Vds)
下降时间
6.2 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.4W (Ta), 30W (Tc)

AUIRF7640S2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
4.85 mm
宽度
3.95 mm
高度
0.74 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF7640S2TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

AUIRF7640S2 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
DirectFET®2 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET ®2** 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、双面冷却以及低寄生电感和电阻,采用坚固符合 AEC-Q101 的封装,适用于汽车应用。 DirectFET®2 MOSFET 是久经考验的 DirectFET 封装技术的可靠性和性能与 Infineon 的最新通道硅工艺的完美组合,在整体系统级尺寸、成本和效率方面均有改进。
Infineon(英飞凌)
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