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Datasheet 搜索 > 电压基准芯片 > Diodes(美台) > AZ432BZTR-E1 Datasheet 文档
AZ432BZTR-E1
16.222
AZ432BZTR-E1 数据手册 (18 页)
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AZ432BZTR-E1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
容差
±1 %
封装
TO-226-3
输出电压
1.25V ~ 18V
输出电流
100 mA
通道数
1 Channel
输入电压(Max)
20 V
输出电压(Max)
18 V
输出电压(Min)
1.25 V
输出电流(Max)
100 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
≤18 V

AZ432BZTR-E1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Box (TB)
高度
4.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±20 ppm/℃

AZ432BZTR-E1 数据手册

Diodes(美台)
18 页 / 0.34 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte

AZ432 数据手册

Diodes(美台)
AZ432ANTR-E1 编带
Diodes(美台)
Diodes(美台)
并联 100mA
Diodes(美台)
电压基准芯片 AZ432AZTR-G1 TO-92
Diodes(美台)
Diodes(美台)
参考电压 Adj Prec Shunt 1.25V 0.05 Ohm 0.1mA
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
参考电压 1.25V Adjust Shunt 100mA 18V 0.05mOhm
Diodes(美台)
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