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BA12T
0.286
BA12T 数据手册 (9 页)
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BA12T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
输入电压(DC)
25.0V (max)
输出电压
12 V
输出电流
1 A
功耗
2 W
跌落电压
0.3V @500mA
输入电压(Max)
25 V
输入电压(Min)
13 V
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
13V ~ 25V

BA12T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-40℃ ~ 85℃

BA12T 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.09 MByte

BA12 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
达林顿晶体管阵列,ROHM Semiconductor此阵列由七个达林顿晶体管电路组成,可驱动高输出电流 (500 mA)。内置输入电阻器可限制基座电流 输出处内置箝位二极管可吸收浪涌电流 输入和输出引脚布局在 IC 封装的两侧分开 应用包括小型电动机驱动器和 LED 驱动器 ### 达林顿晶体管驱动器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
低饱和电压型3针调节器 Low saturation voltage type 3-pin regulator
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
BA12FP-E2 LDO电压调整器/稳压电源IC 12V 300mV/0.3V TO-252 marking/标记 BA12 短路保护 过热保护
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
稳压器,低压差型带ON / OFF开关 Regulator, low drop-out type with ON/OFF switch
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
缓冲器和线路驱动器 RECOMMENDED ALT 755-BA12004DF-ZE2
Vishay Semiconductor(威世)
波段开关二极管 Band Switching Diodes
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Memory Protection Devices
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