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BA3121N
1.048
BA3121N 数据手册 (12 页)
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BA3121N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
SIP-8
供电电流
9 mA
通道数
2 Channel
功耗
900 mW
共模抑制比
57 dB
转换速率
2.00 V/μs
输出功率
900 mW
增益
1.5 dB
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-30 ℃
耗散功率(Max)
900 mW
电源电压
4V ~ 18V

BA3121N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.3 mm
宽度
2.8 mm
高度
5.8 mm
工作温度
-30℃ ~ 85℃ (TA)

BA3121N 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 0.17 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 0.16 MByte

BA3121 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
地面隔离放大器 Ground isolation amplifier
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
18 V 450 mW 1.5 dB 表面贴装 接地 隔离 音频放大器 - SOP-8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
18 V 900 mW 1.5 dB 接地 隔离 音频放大器 - SIP-8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
地面隔离放大器 Ground Isolation Amplifier
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
地面隔离放大器 Ground Isolation Amplifier
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