器件3D模型

￥ 0.083

BA4560FJ-GE2 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

运算放大器 - 运放 Lo Noise Dual Supply Vltg Op Amp

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BA4560FJ-GE2 数据手册 (51 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在41 页 42 页 43 页 44 页 45 页 46 页

典型应用电路图在50 页

原理图在1 页

BA4560FJ-GE2 数据手册 (51 页)

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BA4560FJ-GE2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

4 mA

电路数

2 Circuit

增益频宽积

10 MHz

输入补偿电压

500 µV

输入偏置电流

50 nA

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

540 mW

共模抑制比(Min)

70 dB

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BA4560FJ-GE2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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BA4560FJ-GE2 符合标准

BA4560FJ-GE2 数据手册

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51 页 / 3.62 MByte

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