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BAS70LT1G
0.028
BAS70LT1G 数据手册 (20 页)
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BAS70LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
70.0 V
额定电流
30.0 mA
电容
2.00 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
≤20.0 mA
针脚数
3 Position
正向电压
1 V
极性
Standard
功耗
225 mW
正向电流
70 mA
最大正向浪涌电流
100 mA
正向电压(Max)
1 V
正向电流(Max)
70 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

BAS70LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAS70LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

BAS70LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
70伏肖特基势垒二极管 70 VOLTS SCHOTTKY BARRIER DIODES
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BAS70LT1G  小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
Leshan Radio(乐山无线电)
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