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BC337-25RL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-92-3

描述:

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SILICON

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BC337-25RL1G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

BC337-25RL1G 数据手册 (5 页)

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BC337-25RL1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

210 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

45.0 V

额定电流

800 mA

封装

TO-92-3

极性

NPN

功耗

625 mW

增益频宽积

210 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.8A

最小电流放大倍数

160 @100mA, 1V

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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BC337-25RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BC337-25RL1G 符合标准

BC337-25RL1G 海关信息

BC337-25RL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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BC337-25RL1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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