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BC373G
0.117
BC373G 数据手册 (5 页)
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BC373G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-92-3
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
10000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
160
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
1500 mW

BC373G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC373G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte

BC373 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高压达林顿晶体管( NPN硅) High Voltage Darlington Transistors(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
HITACHI(日立)
Toshiba(东芝)
New Jersey Semiconductor
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Silicon Labs(芯科)
NXP(恩智浦)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC373RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors
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