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BC517RL1
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BC517RL1 数据手册 (6 页)
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BC517RL1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-226-3
极性
NPN
功耗
1500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30000 @20mA, 2V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
1500 mW

BC517RL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC517RL1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte

BC517 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿晶体管( NPN硅) Darlington Transistors(NPN Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Micro Electronics
Motorola(摩托罗拉)
TI(德州仪器)
Infineon(英飞凌)
NPN硅达林顿晶体管(高电流增益高集电极电流) NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
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