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BC546BG
0.033
BC546BG 数据手册 (6 页)
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BC546BG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
65.0 V
额定电流
100 mA
封装
TO-92-3
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

BC546BG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
材质
Silicon
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC546BG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte

BC546 数据手册

CJ(长电科技)
BC546 B档200-450 袋装
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Micro Electronics
Diotec Semiconductor
Philips(飞利浦)
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