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BC546BTF
0.046
BC546BTF 数据手册 (6 页)
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BC546BTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
功耗
500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
最小电流放大倍数
110
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BC546BTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC546BTF 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.29 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte

BC546 数据手册

CJ(长电科技)
BC546 B档200-450 袋装
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Micro Electronics
Diotec Semiconductor
Philips(飞利浦)
Motorola(摩托罗拉)
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