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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Fairchild(飞兆/仙童) > BC638TA Datasheet 文档
BC638TA
0.028
BC638TA 数据手册 (6 页)
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BC638TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-1.00 A
封装
TO-92-3
额定功率
800 mW
极性
PNP
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
40
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1 W

BC638TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC638TA 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.22 MByte

BC638 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
大电流晶体管( PNP硅) High Current Transistors(PNP Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BC638 TO-92 63-250
Continental Device
Philips(飞利浦)
Micro Electronics
Siemens Semiconductor(西门子)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
NXP(恩智浦)
PNP中功率晶体管 PNP medium power transistors
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