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BC638TA
0.057
BC638TA 数据手册 (6 页)
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BC638TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
40 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

BC638TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC638TA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 1.79 MByte

BC638 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
大电流晶体管( PNP硅) High Current Transistors(PNP Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BC638 TO-92 63-250
Continental Device
Philips(飞利浦)
Micro Electronics
Siemens Semiconductor(西门子)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
NXP(恩智浦)
PNP中功率晶体管 PNP medium power transistors
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