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BC640TA
0.093
BC640TA 数据手册 (5 页)
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BC640TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
40 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
25
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1 W

BC640TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC640TA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 1.79 MByte

BC640 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电流晶体管 High Current Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
80 V ,1 A PNP中功率晶体管 80 V, 1 A PNP medium power transistors
Multicomp
MULTICOMP  BC640  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 150 MHz, 800 mW, 1 mA, 100 hFE
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BC640 TO-92 63-250
Motorola(摩托罗拉)
Philips(飞利浦)
Micro Electronics
Continental Device
HITACHI(日立)
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