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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC807-40LT1 Datasheet 文档
BC807-40LT1
0.04
BC807-40LT1 数据手册 (4 页)
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BC807-40LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
225 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
250 @100mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC807-40LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BC807-40LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.14 MByte

BC80740 数据手册

CJ(长电科技)
BC807-40 250~600 编带
Diotec Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
BC807-40 PNP三极管 BC807-40 PNP transistors(BJT)Vcbo=-50V Vco=-45v Ic= -500mA/-0.5A ft=80MHz hfe=250~600 Vce=-700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 5C 高电流增益
Infineon(英飞凌)
bc807-40 PNP三极管 -50V -500mA/-0.5A 200MHz 250~630 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 5c 高电流增益
Diodes(美台)
SLKOR(韩国萨科微)
先科ST(先科)
BC807-40 编带
Multicomp
MULTICOMP  BC807-40  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFE
ON Semiconductor(安森美)
BC807-40 PNP三极管 -50V -500mA/-0.5A 200MHz 250~630 -700mV/-0.7V SOT-323/SC-70 marking/标记 5C 高电流增益
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