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BC807-40LT3G
0.019
BC807-40LT3G 数据手册 (10 页)
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BC807-40LT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
250 @100mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC807-40LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC807-40LT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte

BC80740LT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC807-40LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新
Leshan Radio(乐山无线电)
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