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BC808-25LT1G
0.017
BC808-25LT1G 数据手册 (4 页)
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BC808-25LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
160 @100mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC808-25LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
2.64 mm
高度
1.11 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BC808-25LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
26 页 / 0.29 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

BC80825LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
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