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BC847AWT1G
器件3D模型
0.016
BC847AWT1G 数据手册 (2 页)
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BC847AWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
110 @2mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
180
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

BC847AWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC847AWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.1 MByte

BC847AWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC847AWT1G  射频双极晶体管
Leshan Radio(乐山无线电)
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