器件3D模型

￥ 0.026

BC847BDW1T3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-70-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BC847BDW1T3G 数据手册 (11 页)

封装尺寸在11 页

BC847BDW1T3G 数据手册 (11 页)

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BC847BDW1T3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

45.0 V

额定电流

100 mA

封装

SC-70-6

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

6 Position

极性

NPN

功耗

380 mW

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

200 @2mA, 5V

额定功率(Max)

380 mW

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

380 mW

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BC847BDW1T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BC847BDW1T3G 符合标准

BC847BDW1T3G 海关信息

BC847BDW1T3G 概述