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BC847BPDW1T1
器件3D模型
0.036
BC847BPDW1T1 数据手册 (10 页)
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BC847BPDW1T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-6
极性
NPN+PNP
功耗
380 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
150
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

BC847BPDW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm

BC847BPDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.16 MByte

BC847BPDW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管( NPN / PNP对偶) Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)
Leshan Radio(乐山无线电)
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