￥ 0.028

BC847BPDW1T3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363

描述:

ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BC847BPDW1T3G 数据手册 (17 页)

封装尺寸在17 页

BC847BPDW1T3G 数据手册 (17 页)

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BC847BPDW1T3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

6 Position

极性

NPN, PNP

功耗

380 mW

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

200 @2mA, 5V

额定功率(Max)

380 mW

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

380 mW

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BC847BPDW1T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BC847BPDW1T3G 符合标准

BC847BPDW1T3G 概述