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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC847CDW1T1G Datasheet 文档
BC847CDW1T1G
器件3D模型
0.022
BC847CDW1T1G 数据手册 (2 页)
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BC847CDW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-6
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
380 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
380 mW
直流电流增益(hFE)
270
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

BC847CDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC847CDW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.16 MByte

BC847CDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC847CDW1T1G.  双极性晶体管, NPN, 双路, 45V, SOT363
Leshan Radio(乐山无线电)
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