￥ 0.031

BC847SH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363-6

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BC847SH6327XTSA1 数据手册 (10 页)

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BC847SH6327XTSA1 数据手册 (10 页)

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BC847SH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

250 MHz

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

极性

NPN

功耗

250 mW

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数

450

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

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BC847SH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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BC847SH6327XTSA1 符合标准

BC847SH6327XTSA1 概述

BC847SH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.82 MByte

BC847SH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BC847SH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 0.2 MByte

BC847SH6327XTSA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

470 页 / 5.61 MByte

BC847SH6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

BC 847S H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

1个NPN,1个PNP 45V 250mW 15nA

BC847S H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

BC847SH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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