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BC848BLT1
0.023
BC848BLT1 数据手册 (6 页)
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BC848BLT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC848BLT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC848BLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte

BC848 数据手册

NXP(恩智浦)
bc848 NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 200~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1M 通用开关和放大
UTC(友顺)
Continental Device
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Motorola(摩托罗拉)
Siemens Semiconductor(西门子)
Toshiba(东芝)
Yageo(国巨)
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