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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC848CPDW1T1G Datasheet 文档
BC848CPDW1T1G
器件3D模型
0.028
BC848CPDW1T1G 数据手册 (17 页)
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BC848CPDW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
极性
NPN, PNP
功耗
380 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

BC848CPDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC848CPDW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte

BC848CPDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管( NPN / PNP对偶) Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
BC 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN/PNP 硅 双 通用 晶体管 SOT-23
Leshan Radio(乐山无线电)
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