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BC848CWT1G
器件3D模型
0.027
BC848CWT1G 数据手册 (13 页)
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BC848CWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-3
额定功率
150 mW
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
200 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
270
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
150 mW

BC848CWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC848CWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

BC848CWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC848CWT1G  新
Fairchild(飞兆/仙童)
Leshan Radio(乐山无线电)
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