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BC849CLT1G
0.011
BC849CLT1G 数据手册 (13 页)
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BC849CLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC849CLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC849CLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

BC849CLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC849CLT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFE
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