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BC850CE6327
0.01
BC850CE6327 数据手册 (19 页)
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BC850CE6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 MHz
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
330 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420
最大电流放大倍数
800

BC850CE6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Cut Tape (CT)
宽度
1.3 mm

BC850CE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.17 MByte

BC850 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Rectron Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia BC850C,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia BC850CW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  BC850C,215  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
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