Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC856BDW1T1 Datasheet 文档
BC856BDW1T1
器件3D模型
0.052
BC856BDW1T1 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BC856BDW1T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-65.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-70-6
极性
PNP
功耗
380 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
380 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

BC856BDW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC856BDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte

BC856BDW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC856BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z