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BC856BLT3G
0.012
BC856BLT3G 数据手册 (7 页)
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BC856BLT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-65.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
225 mW
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
220
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC856BLT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC856BLT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

BC856BLT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistors
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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