●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −65V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 125~475 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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Multicomp
MULTICOMP BC856 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
NXP（恩智浦）
BC856 PNP三极管 -80V -100mA/-0.1A 100MHz 125~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3D 开关/放大
Fairchild（飞兆/仙童）
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ PNP ） Small Signal Transistors (PNP)
Nexperia（安世）
小信号 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
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