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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > BC856BW,115 Datasheet 文档
BC856BW,115
0.008
BC856BW,115 数据手册 (11 页)
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BC856BW,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
针脚数
3 Position
功耗
200 mW
输入电容
12 pF
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
220
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BC856BW,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC856BW,115 数据手册

Nexperia(安世)
11 页 / 0.36 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
43 页 / 0.72 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

BC856 数据手册

Multicomp
MULTICOMP  BC856  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
NXP(恩智浦)
BC856 PNP三极管 -80V -100mA/-0.1A 100MHz 125~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3D 开关/放大
UTC(友顺)
PNP硅晶体管
Philips(飞利浦)
Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Continental Device
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
ON Semiconductor(安森美)
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