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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC856BWT1G Datasheet 文档
BC856BWT1G
器件3D模型
0.018
BC856BWT1G 数据手册 (6 页)
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BC856BWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-65.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-70-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
150
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

BC856BWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC856BWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.11 MByte

BC856BWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
NXP(恩智浦)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
Leshan Radio(乐山无线电)
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