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BC856S
0.034
BC856S 数据手册 (10 页)
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BC856S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363
针脚数
6 Position
极性
PNP
功耗
220 mW
最小电流放大倍数
110
直流电流增益(hFE)
110
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BC856S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BC856S 数据手册

NXP(恩智浦)
10 页 / 0.82 MByte
NXP(恩智浦)
12 页 / 0.08 MByte
NXP(恩智浦)
8 页 / 0.05 MByte

BC856 数据手册

Multicomp
MULTICOMP  BC856  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
NXP(恩智浦)
BC856 PNP三极管 -80V -100mA/-0.1A 100MHz 125~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3D 开关/放大
UTC(友顺)
PNP硅晶体管
Philips(飞利浦)
Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Continental Device
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
ON Semiconductor(安森美)
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