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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC857BDW1T1 Datasheet 文档
BC857BDW1T1
器件3D模型
0.022
BC857BDW1T1 数据手册 (7 页)
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BC857BDW1T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-70-6
极性
Dual P-Channel
功耗
380 mW
击穿电压(集电极-发射极)
-45.0 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

BC857BDW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm

BC857BDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte

BC857BDW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC857BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
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